新華社報(bào)道，記者近日從位于西安高新區(qū)的三星（中國）半導(dǎo)體有限公司采訪了解到，三星半導(dǎo)體高端存儲芯片二期項(xiàng)目總投資將超過140億美元。二期項(xiàng)目已于2018年3月開工建設(shè)，預(yù)計(jì)今年7月份建成，2020年一季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

三星（中國）半導(dǎo)體有限公司副總裁池賢基在采訪中說，三星半導(dǎo)體的存儲芯片二期項(xiàng)目分為兩個階段，第一階段投資70億美元，第二階段詳細(xì)計(jì)劃還未出爐，但預(yù)計(jì)會超過70億美元，總投資將超過140億美元。

2012年，西安高新區(qū)成功引進(jìn)三星電子存儲芯片項(xiàng)目，生產(chǎn)“V－NAND”閃存芯片。一期項(xiàng)目于2014年5月竣工投產(chǎn)。“一期項(xiàng)目計(jì)劃投資70億美元，實(shí)際總投資超過了100億美元。”池賢基說。

據(jù)介紹，直接在中國生產(chǎn)“V－NAND”閃存芯片，將使三星更有效率地應(yīng)對市場的變化和顧客的需求。池賢基說，三星半導(dǎo)體繼續(xù)投建二期項(xiàng)目，表示他們對中國經(jīng)濟(jì)很有信心。

V-NAND有著在相同體積下容量增加、讀寫性能提升的優(yōu)勢。而三星的V-NAND存儲硬盤處于市場前列，主要競爭對手來自美國的硬盤廠商西部數(shù)據(jù)。