在三星上周紙面預(yù)覽了其3nm工藝后，臺(tái)積電也毫不示弱，業(yè)內(nèi)人士稱，臺(tái)積電年底前會(huì)敲定南部科技園的30公頃土地（30萬(wàn)平米），隨后啟動(dòng)3nm晶圓廠的建設(shè)。

目前，臺(tái)積電的12寸超大晶圓廠有六座，分別是總部及晶圓十二A廠、研發(fā)中心及十二B廠、晶圓十四廠、晶圓十五廠、晶圓十六廠（南京）和晶圓十八廠。

在7nm世代取得大捷后，臺(tái)積電在上周的財(cái)報(bào)會(huì)議上表示，5nm的進(jìn)度比7nm更順利，產(chǎn)能也會(huì)提至新高。

關(guān)于3nm的技術(shù)細(xì)節(jié)，臺(tái)積電尚未披露。至少三星方面稱，F(xiàn)inFET（鰭式場(chǎng)效晶體管，華人科學(xué)家、前臺(tái)積電CTO胡正明教授發(fā)明）會(huì)在4nm LPE之后走到盡頭。他們提出的新解決方案是GAA MCFET（多橋通道FET），且有3 GAAE（GAA Early）和3 GAAP（GAA Plus）兩代。

2010年，Bulk CMOS工藝技術(shù)在20nm走到盡頭，胡正明發(fā)明的FinFET和FD-SOI工藝得以使摩爾定律延續(xù)傳奇。