日前，美光宣布第一批第四代3D NAND存儲芯片流片已經(jīng)出樣，全新的第四代3D NAND基于美光的RG架構(gòu)，預計2020年美光第四代3D NAND閃存將開始商用。

同時，美光警告稱，使用新架構(gòu)的存儲芯片將僅用于特定應用，因此明年其3D NAND成本削減將微乎其微。

美光第四代3D NAND使用多達128個有源層，并在陣列設計方法上繼續(xù)使用CMOS。新型3D NAND存儲器改變了用于柵替換的浮柵技術(shù)，以試圖降低尺寸和成本，同時提高性能，并簡化向下一代節(jié)點的過渡。該技術(shù)完全由美光公司開發(fā)，沒有英特爾任何投入，因此它很可能是針對美光公司最希望針對的應用量身定制。

美光表示，在其后續(xù)RG工藝節(jié)點廣泛部署之后，到2021財年將真正開始降低成本。