在7納米工藝的競爭中，臺(tái)積電以EUV技術(shù)拔得頭籌。三星作為臺(tái)積電最大的對手，近來做法也是非常激進(jìn)：三星官方最近給出的時(shí)間表，6nm 6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn)，5nm 5LPE今年內(nèi)完成流片、明年上半年量產(chǎn)，4nm 4LPE也會(huì)在年內(nèi)設(shè)計(jì)完畢。

按照三星給出的技術(shù)路線圖，6LPP、5LPE、4LPE其實(shí)都是在7LPP工藝基礎(chǔ)上演化而來的，要一直到3nm(3GAE/3GAP)才會(huì)是全新的設(shè)計(jì)，預(yù)計(jì)會(huì)使用全新的結(jié)構(gòu)和材料。5LPE會(huì)在性能、功耗、核心面積上進(jìn)一步提升，相比于6nm LPP功耗更低、面積更小、晶體管密度更高。不過核心IP還是7LPP的那一套，不過由于EUV應(yīng)用更深入，三星預(yù)計(jì)6LPP、5LPE工藝的應(yīng)用范圍也會(huì)更廣，而且5nm明年迅速就會(huì)成為主流。