9 月 4 日消息 西部數(shù)據(jù)于 9 月 1 日正式發(fā)布了 20TB 容量的機(jī)械硬盤。這款產(chǎn)品除了傳統(tǒng)的盤體之外，還采用了 OptiNAND 技術(shù)，在電路板上集成了 iNAND UFS 嵌入式閃存(embedded flash drive，簡(jiǎn)稱 EFD)，使用的是未知容量的 3D TLC UFS 閃存芯片。這項(xiàng)技術(shù)能夠提升機(jī)械硬盤的性能和可靠性。

　　這款硬盤內(nèi)部封裝了 9 個(gè)碟片，單碟容量約為 2.2TB，使用了 ePMR(能量輔助垂直記錄技術(shù))。磁頭使用了更為精準(zhǔn)的三級(jí)驅(qū)動(dòng)技術(shù)，能夠使得讀、寫磁頭精準(zhǔn)定位。硬盤的 SoC 控制芯片由西部數(shù)據(jù)自行研發(fā)。

　　官方表示，現(xiàn)代的機(jī)械硬盤，需要在盤片上存儲(chǔ)上千兆字節(jié)的元數(shù)據(jù)，包括磁道重復(fù)跳動(dòng)元數(shù)據(jù)(RRO，也就是每次硬盤主軸旋轉(zhuǎn)導(dǎo)致的位置誤差數(shù)值)，以及磁道級(jí)別的寫入操作元數(shù)據(jù)，用于解決相鄰磁道間的干擾。使用 OptiNAND 技術(shù)后，RRO 數(shù)據(jù)和寫操作元數(shù)據(jù)均可以存儲(chǔ)在 iNAND 閃存中，這樣不僅能夠減少對(duì)于硬盤空間的占用，同時(shí)也能夠大幅降低硬盤讀寫操作數(shù)(IO 數(shù))。總之，UFS 閃存還能夠存儲(chǔ)扇區(qū)級(jí)別的寫操作數(shù)據(jù)，這樣能夠優(yōu)化存儲(chǔ)要求，減少 ATI(相鄰磁道干擾數(shù)據(jù))刷新次數(shù)，來提高性能。

　　官方表示，隨著現(xiàn)代機(jī)械硬盤密度的提升，相鄰磁道之間的干擾也大大增強(qiáng)，阻礙了存儲(chǔ)密度的進(jìn)一步提升。一些廠商使用 HAMR 技術(shù)、MAMR 技術(shù)來增強(qiáng)寫入數(shù)據(jù)的質(zhì)量，使得磁化過程更加整齊。而西部數(shù)據(jù)則選用了另一個(gè)技術(shù)方向，提高了磁頭讀取數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確度。

　　目前西部數(shù)據(jù)并沒有說明，新款 20TB 硬盤是否采用 SMR 疊瓦磁方式記錄，但是根據(jù)描述，硬盤有很大可能采用了這種方式，因?yàn)橹挥?SMR 技術(shù)才需要記錄大量磁道信息。

　　了解到，西部數(shù)據(jù)還表示，OptiNAND 技術(shù)能夠在硬盤突然斷電的情況下，緊急存儲(chǔ) 100MB 的數(shù)據(jù)，這樣能夠避免意外帶來的風(fēng)險(xiǎn)。不僅如此，板載 iNAND 閃存能夠結(jié)合固件優(yōu)化，提高機(jī)械硬盤的響應(yīng)速度，減少延遲。

　　西部數(shù)據(jù) 20TB OptiNAND 機(jī)械硬盤有望在未來幾個(gè)月(甚至幾個(gè)季度)之后開始發(fā)貨。這項(xiàng)技術(shù)的應(yīng)用，預(yù)計(jì)將使得 ePMR HDD 的容量，在本世紀(jì)下半頁(yè)達(dá)到 50TB。