北京時(shí)間 8 月 5 日早間消息，據(jù)報(bào)道，英特爾今年早些時(shí)候宣布將重新奪回 CPU 制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和 PC 行業(yè)“無(wú)可爭(zhēng)議領(lǐng)導(dǎo)地位”。這些目標(biāo)的確激動(dòng)人心，但他們卻并未披露具體如何實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。

　　現(xiàn)在，該公司 CEO 帕特?基爾辛格(Pat Gelsinger)和技術(shù)開發(fā)高級(jí)副總裁安?凱勒(Ann Kelleher)終于披露了未來(lái)計(jì)劃。

　　首先，英特爾已經(jīng)不再沿用之前的產(chǎn)品命名方式。他們之前將 10 納米芯片命名為“Enhanced Superfin”，現(xiàn)在直接改名為“7”。這或許給人感覺有點(diǎn)名不副實(shí)，強(qiáng)行抬高自己的身價(jià)，因?yàn)?7 很容易讓人誤以為是 7 納米產(chǎn)品。

　　但公平地說，生產(chǎn)工工藝的納米級(jí)別現(xiàn)在已經(jīng)不能真正對(duì)應(yīng)物理狀態(tài)了。而且從密度上看，英特爾目前的 10 納米芯片是可以跟臺(tái)積電和三星的 7 納米芯片競(jìng)爭(zhēng)的。

　　在 7 納米之外，英特爾目前制定了非常激進(jìn)的年度產(chǎn)品更新計(jì)劃，預(yù)計(jì)該公司今年秋天將推出 Alder Lake 芯片，將高功率和低功率核心融合在一起。之后則是將目前的 4 納米 Meteor Lake 芯片遷移到 tile 設(shè)計(jì)，并融合英特爾的 3D 堆疊芯片技術(shù) Foveros。

　　除此之外，英特爾還為基于 EUV 的 3 納米芯片設(shè)計(jì)了一項(xiàng)技術(shù)，將會(huì)使用高能制造工藝簡(jiǎn)化芯片制造流程，并為埃米級(jí)技術(shù)規(guī)劃了“20A”的入門單位。1 埃米等于 1/10 納米，所以 20A 的意思就是 2 納米，此后還有 18A。18A (1.8 納米)產(chǎn)品預(yù)計(jì)將從 2025 年開始投入生產(chǎn)，相應(yīng)的產(chǎn)品將在 2025 至 2030 年間面市。

　　另外，雖然這些工藝水平已經(jīng)不再直接對(duì)應(yīng)實(shí)際的物理結(jié)構(gòu)，但一個(gè)硅原子確實(shí)只在 2 埃米寬的范圍內(nèi)，因此的確是非常小的晶體管了。

　　這項(xiàng)計(jì)劃看似非常激進(jìn)，而且英特爾以往達(dá)成這類目標(biāo)方面表現(xiàn)不佳。但即使能夠接近這些目標(biāo)，未來(lái)幾年的筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)也將迎來(lái)巨大的性能提升。

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