近日，在日本東京舉辦的ITF論壇上，與ASML合作研發(fā)光刻機的比利時半導體研究機構IMEC公布了3nm及以下制程在微縮層面技術細節(jié)。

目前，ASML在3nm、2nm、1nm甚至Sub?1nm都已經(jīng)做出了清晰的路徑規(guī)劃，據(jù)了解，1nm時代的光刻機在體積方面將會增加不少。

體積增加的主要原因是光學器件增大所致，潔凈室指數(shù)也達到天花板。

據(jù)悉，在臺積電、三星的7nm、5nm制造中已經(jīng)引入了NA=0.33的EUV曝光設備，而在2nm后就需要更高分辨率的曝光設備，也就是NA=0.55。

現(xiàn)在，ASML已經(jīng)完成了0.55NA曝光設備的基本設計（NXE：5000系列），預計將會在2022年實現(xiàn)商業(yè)化。

ASML目前在售的兩款極紫外光刻機分別是TWINSCAN?NXE：3400B和TWINSCAN?NXE：3400C，預計3600D計劃在明年年中出貨，其生產效率將會提升18%。
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